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第53章 炒作（第1页）

第四步就是刻蚀

刻蚀是在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。

第五步就是薄膜沉积

为了创建芯片内部的微型器件，我们需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。

每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。

第六步就是互联

通过基于晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件，但还需要将它们连接起来才能实现电力与信号的送与接收。

第七步就是测试

测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准，从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。

第八步就是封装

经过之前几个工艺处理的晶圆上会形成大小相等的方形芯片，之后通过切割获得单独的芯片。

因为刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号，所以还需要单独进行处理。这一处理过程就是封装，其目的就是在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。

通过以上各种复杂的工艺，芯片也就被制造出来了！

当然制作芯片也必须用到光刻机、等离子刻蚀机、离子注入机器、反应离子刻蚀机、单晶炉、晶圆划片机、晶片减薄机、气相外延炉八大设备，同样，光刻机又是我们国家的软肋。

目前台积电的工艺制程已经稳定在了5nm。且3nm已经提上了日程，不过值得注意的是，如果台积电的技术要再进一步就只有一种情况，受到材料本身和量子物理的影响，硅基芯片已经到达它所能做到的物理极限。

不过，别说5纳米，就是7纳米，我们国家都还差的很远，我们国家目前能够自行研设计生产的芯片还停留在14纳米级别。

而系统给出的芯片不是硅基芯片，而是1纳米制程工艺的碳基芯片。

炭基就是使用碳纳米管代替晶体管。

大家都知道石墨烯，简单来说就是碳原子薄膜。

无数的纳米材料中它最薄，只有o.335纳米，但硬度它是钢铁的2oo倍，而且在导电性上更是比硅强1oo倍，导热上比铜强1o倍，可谓是非常强悍。

把这个薄膜卷起来就是一个碳纳米管，相当于传统硅基芯片中的晶体管。

负责信号传输的电子，可以在这个管道中穿行。

众多碳纳米管经过分布排列构成集成电路，这就是一个完整的碳基芯片，所以石墨烯芯片也叫碳基芯片。

而碳基芯片的优点，一是同样制程工艺下，碳基芯片的性能要远大于传统的硅基芯片，性能提升大约5-1o倍以上。

二是，功耗更低，大约只有2o%硅基芯片的功耗，同时散热性能也更加优异。

第三就是硅基芯片，1纳米制程工艺就是极限了，而碳基芯片可以做到一纳米以下。

当然他的缺点就是成本和提纯技术要求非常高。

但这在系统面前都不算啥，系统不但给出了石墨烯更加优秀的提取和提纯工艺，还给出了整套芯片生产需要的设备的生产工艺技术，比如1纳米制程工艺的光刻机技术！

这对目前的华夏来说无疑是真正的雪中送炭。

花了几个小时，杨凡才将系统给的资料大致浏览了一遍！杨凡闭上眼睛整理了下思绪便开始工作起来，最近科技一个跟一个，有点应急不暇。

……